Процесс образования скрытого

Процесс образования скрытого) изображения может быть схематиче­ски представлен следующим обра зом: квант света, попадая в кри­сталл галогенида серебра, вырывает электрон из иона галоида. Электрон движется внутри кристал­лической решетки до тех пор, пока не попадет на центр свето­чувствительности, который является «ловушкой» для электро­нов. Электрон сообщает центру отрицательный заряд, нейтра­лизуемый положительно заряженным ионом серебра. На центре светочувствительности образуется атом серебра, что увеличивает степень несовершенства этого участка кристалла и увеличивает глубину ловушки электронов. Поэтому при поглощении кристал­лом следующего кванта света вероятность захвата электрона этой ловушкой возрастает. Процесс продолжается до тех пор, пока не образуется достаточно крупный и устойчивый центр скры­того изображения, способный к проявлению. Минимальное ко­личество атомов серебра в центре скрытого изображения 3—4, среднее—10—15 атомов, максимальное может достигать  100.

Этому процессу может препятствовать атом галоида, если он не удален из кристалла. Взаимодействуя с электроном, он связывает его и тем самым препятствует росту центра скрытого изображения. Следовательно, фотографическая эмульсия должна
содержать вещества, связывающие галоид,— акцепторы. Роль акцептора брома выполняет желатина, а также специально вводимые в состав эмульсии вещества (например, нитрит нат-
рия).   

Квант видимого света может образовать в кристалле гало­генида серебра только один фотоэлектрон, поэтому процесс обра­зования скрытого изображения является многоступенчатым. Ес­ли же на фотослой действует рентгеновское излучение или заря­женные частицы высоких энергий, то уже при однократном попа­дании в кристалле образуется большое количество фотоэлектро­нов, вполне достаточное для образования центра скрытого изображения.

Невзаимозаместимость. Эффективность образования центров скрытого изображения
при поглощении микрокристаллами   фотонов видимого    света,   как правило, зависит от интенсивности  излучения и   продолжительности его действия на фото-
слой. Величина плотности почернения   может сильно изменяться при различных    соотношениях интенсивности излучения  и выдержки.  Изоопаки двух типов фотоматериалов:
оптимальные   значение малыми и с большими отклонениями от закония выдержек находят  на взаимозаместимости при   длительных   выражается в   интервале   0,1— держках
0,01 с; при очень коротких (< 0-3 с) или длительных (>10 с) эффективность проявления экспонированных микрокристаллов уменьшается.

Невзаимозаместимость выражается в том, что величина экс­позиции Н, равная произведению освещенности Е и выдержки t и необходимая для получения плотности почернения D, зависит от абсолютных значений Е и t. Зависимость lgЯD=const от \gt или lgЈ изображают графически в виде изоопак (линий равных плотностей). На рис. 17 показаны типичные изоопаки в широком интервале выдержек. При длительных или очень коротких вы­держках чувствительность в несколько раз ниже, чем при опти­мальных выдержках, поэтому приходится значительно увеличи­вать экспозицию.

Невзаимозаместимость может быть несколько снижена дли­тельным проявлением фотослоя. Поскольку отдельные стадии образования центров скрытого изображения зависят от темпера­туры, то ее снижение до —20°С уменьшает невзаимозаместимость при низких освещенностях. Наиболее эффективный способ повы­шения чувствительности фотослоя при длительных выдержках — гиперсенсибилизация, а также латенсификация фотографическо­го материала.